onsemi 推出垂直 GaN 半导体：人工智能和电气化的突破

亚利桑那州斯科茨代尔，2025 年 10 月 30 日（环球通讯社） -- 摘要 -- 随着人工智能数据中心、电动汽车和其他能源密集型应用的全球能源需求激增，Onsemi 推出了垂直氮化镓 (vGaN) 功率半导体，为这些应用的功率密度、效率和耐用性树立了新基准。这些突破性的下一代 GaN-on-GaN 功率半导体通过化合物半导体垂直传导电流，从而实现更高的工作电压和更快的开关频率，从而实现节省能源，为人工智能数据中心、电动汽车 (EV)、可再生能源以及航空航天、国防和安全提供更小、更轻的系统。新闻亮点专有的 GaN-on-GaN 技术可在更高的电压下垂直传导电流，从而实现更快的开关和更紧凑的设计。突破性解决方案可以减少能量损耗和热量，将损耗减少近 50%。由 Onsemi 位于纽约州锡拉丘兹的研发团队开发；拥有 130 多项专利，涉及基础工艺、器件架构、制造和系统创新。onsemi 正在向早期客户提供 700V 和 1,200V 器件样品。最新消息：onsemi 的 vGaN 技术是一项突破性功率半导体技术，为人工智能和电气化时代的效率、功率密度和耐用性树立了新基准。onsemi 在纽约州锡拉丘兹的 onsemi 工厂开发和制造，拥有超过 130 项全球专利，涵盖垂直 GaN 技术的一系列基础工艺、器件设计、制造和系统创新。“垂直 GaN 是行业游戏规则的改变者，巩固了 onsemi 在能源效率和创新方面的领导地位。随着电气化和人工智能重塑行业，效率已成为定义进步衡量标准的新基准。在我们的电源产品组合中添加垂直 GaN 为我们的客户提供了提供无与伦比性能的终极工具包。凭借这一突破，onsemi正在定义能源效率和功率密度成为竞争力的未来。”  Onsemi 企业战略高级副总裁 Dinesh Ramanathan。重要性：世界正在进入一个新时代，能源成为技术进步的决定性制约因素。从电动汽车和可再生能源到目前比某些城市消耗更多电力的人工智能数据中心，电力需求的增长速度超过了我们高效发电和供电的能力。现在节省的每一瓦特都很重要。onsemi 的 vGaN 技术旨在处理单片芯片中的高电压 – 1,200 伏及以上 – 以极高的效率切换高频率的大电流。采用该技术构建的高端电源系统可将损耗降低近 50%，并且通过在更高的频率下运行还可以减小尺寸，包括类似数量的电容器和电感器等无源器件。此外，与商用横向 GaN 相比，vGaN 器件大约小三倍。这使得 onsemi 的 vGaN 非常适合功率密度、热性能和可靠性至关重要的关键高功率应用，包括：人工智能数据中心：减少组件数量，提高人工智能计算系统 800V DC-DC 转换器的功率密度，从而大幅提高每个机架的成本电动汽车：更小、更轻、更高效的逆变器，以增加电动汽车续航里程充电基础设施：更快、更小、更坚固的充电器可再生能源：更高的电压处理能力，减少太阳能和风能逆变器的能量损耗能源存储系统 (ESS)：为电池转换器和电池转换器提供快速、高效、高密度的双向电源微电网工业自动化：更小、更凉爽、更高效的电机驱动器和机器人航空航天、国防和安全：更高的性能、增强的耐用性和更紧凑的设计工作原理：大多数商用 GaN 器件均构建在非 GaN 衬底（主要是硅或蓝宝石）上。对于非常高的电压器件，Onsemi 的 vGaN 使用 GaN-on-GaN 技术，允许电流垂直流过芯片而不是流过其表面。该设计可提供更高的功率密度，更高的热稳定性和极端条件下的稳健性能。 凭借这些优势，vGaN 超越了硅基 GaN 和蓝宝石基 GaN 器件，可提供更高的电压能力、更高的开关频率、卓越的可靠性和增强的耐用性。这使得开发更小、更轻、更高效的电源系统成为可能，同时降低冷却要求并降低总体系统成本。主要优势包括：更高的功率密度：垂直 GaN 可以在更小的占地面积内处理更高的电压和更大的电流更高的效率：减少供电过程中的能量损耗转换，减少热量并降低冷却成本紧凑型系统：更高的开关频率减少了电容器和电感器等无源元件的尺寸可用性：
立即向早期访问客户提供样品其他信息：
垂直 GaN 情况说明书
垂直 GaN 概述演示联系信息Krystal Heaton
[email protected]
+1 480-242-6943附件onsemi 垂直 GaN 晶圆onsemi 垂直 GaN 晶圆