onsemi 推出垂直 GaN 半導體：人工智能和電氣化的突破

亞利桑那州斯科茨代爾，2025 年 10 月 30 日（環球通訊社） -- 摘要 -- 隨著人工智能數據中心、電動汽車和其他能源密集型應用的全球能源需求激增，Onsemi 推出了垂直氮化鎵 (vGaN) 功率半導體，為這些應用的功率密度、效率和耐用性樹立了新基準。這些突破性的下一代 GaN-on-GaN 功率半導體通過化合物半導體垂直傳導電流，從而實現更高的工作電壓和更快的開關頻率，從而實現節省能源，為人工智能數據中心、電動汽車 (EV)、可再生能源以及航空航天、國防和安全提供更小、更輕的系統。 新聞亮點專有的 GaN-on-GaN 技術可在更高的電壓下垂直傳導電流，從而實現更快的開關和更緊湊的設計。突破性解決方案可以減少能量損耗和熱量，將損耗減少近 50%。由 Onsemi 位於紐約州錫拉丘茲的研發團隊開發；擁有 130 多項專利，涉及基礎工藝、器件架構、製造和系統創新。 onsemi 正在向早期客戶提供 700V 和 1,200V 器件樣品。 最新消息：onsemi 的 vGaN 技術是一項突破性功率半導體技術，為人工智能和電氣化時代的效率、功率密度和耐用性樹立了新基準。 onsemi 在紐約州錫拉丘茲的 onsemi 工廠開發和製造，擁有超過 130 項全球專利，涵蓋垂直 GaN 技術的一系列基礎工藝、器件設計、製造和系統創新。 “垂直 GaN 是行業遊戲規則的改變者，鞏固了 onsemi 在能源效率和創新方面的領導地位。隨著電氣化和人工智能重塑行業，效率已成為定義進步衡量標準的新基準。在我們的電源產品組合中添加垂直 GaN 為我們的客戶提供了提供無與倫比性能的終極工具包。憑藉這一突破，onsemi正在定義能源效率和功率密度成為競爭力的未來。”  Onsemi 企業戰略高級副總裁 Dinesh Ramanathan。 重要性：世界正在進入一個新時代，能源成為技術進步的決定性制約因素。從電動汽車和可再生能源到目前比某些城市消耗更多電力的人工智能數據中心，電力需求的增長速度超過了我們高效發電和供電的能力。現在節省的每一瓦特都很重要。 onsemi 的 vGaN 技術旨在處理單片芯片中的高電壓 – 1,200 伏及以上 – 以極高的效率切換高頻率的大電流。採用該技術構建的高端電源系統可將損耗降低近 50%，並且通過在更高的頻率下運行還可以減小尺寸，包括類似數量的電容器和電感器等無源器件。此外，與商用橫向 GaN 相比，vGaN 器件大約小三倍。這使得 onsemi 的 vGaN 非常適合功率密度、熱性能和可靠性至關重要的關鍵高功率應用，包括：人工智能數據中心：減少組件數量，提高人工智能計算系統 800V DC-DC 轉換器的功率密度，從而大幅提高每個機架的成本電動汽車：更小、更輕、更高效的逆變器，以增加電動汽車續航里程充電基礎設施：更快、更小、更堅固的充電器可再生能源：更高的電壓處理能力，減少太陽能和風能逆變器的能量損耗能源存儲系統 (ESS)：為電池轉換器和電池轉換器提供快速、高效、高密度的雙向電源微電網工業自動化：更小、更涼爽、更高效的電機驅動器和機器人航空航天、國防和安全：更高的性能、增強的耐用性和更緊湊的設計工作原理：大多數商用 GaN 器件均構建在非 GaN 襯底（主要是矽或藍寶石）上。對於非常高的電壓器件，Onsemi 的 vGaN 使用 GaN-on-GaN 技術，允許電流垂直流過芯片而不是流過其表面。該設計可提供更高的功率密度，更高的熱穩定性和極端條件下的穩健性能。 憑藉這些優勢，vGaN 超越了矽基 GaN 和藍寶石基 GaN 器件，可提供更高的電壓能力、更高的開關頻率、卓越的可靠性和增強的耐用性。這使得開發更小、更輕、更高效的電源系統成為可能，同時降低冷卻要求並降低總體系統成本。主要優勢包括：更高的功率密度：垂直 GaN 可以在更小的佔地面積內處理更高的電壓和更大的電流更高的效率：減少供電過程中的能量損耗轉換，減少熱量並降低冷卻成本緊湊型系統：更高的開關頻率減少了電容器和電感器等無源元件的尺寸可用性：
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垂直 GaN 情況說明書
垂直 GaN 概述演示聯繫信息Krystal Heaton
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